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UV LED商场战役迸发预兆:企业抢占LED芯片技能“先机”
来源:http://www.gy-pt.com 责任编辑:www.ag88.com 更新日期:2018-09-13 21:50
UV LED商场战役迸发预兆:企业抢占LED芯片技能先机 紫外(UV) LED 是指发射的峰值波长在400nm以下的发光二极管,一般能够分为两类:波长在300~400nm的称为近紫外(NUV)LED;200~300nm的称为深紫外(DUV)LED。UV-LED在很多范畴都具有宽广的使用远景,包含U

  UV LED商场战役迸发预兆:企业抢占LED芯片技能“先机”

  紫外(UV)LED是指发射的峰值波长在400nm以下的发光二极管,一般能够分为两类:波长在300~400nm的称为近紫外(NUV)LED;200~300nm的称为深紫外(DUV)LED。UV-LED在很多范畴都具有宽广的使用远景,包含UV放电灯的代替光源、荧光光源、显微镜或曝光机的高分辨率光源,以及用于固化、医药、生物研讨等的光化学反响光源、用于灭菌消毒的紫外光源等。

  一般的蓝光LED根本选用GaN作为发光资料,可是因为GaN的带隙为3.4eV,芯片内部发生的波长小于370nm的辐射会被GaN吸收。因而,UV-LED大都选用AlGaN作为发光资料。可是AlGaNLED需求1层带隙更大的包覆层,造成了更高的穿透位错密度(ThreadingDislocationDensity,TDD),然后导致发光功率下降。跟着辐射峰值波长的减小,LED芯片的外量子功率(EQE)逐步下降。

  现在NUV-LED的制备技能发展迅速,芯片功能得到了极大的进步。365nm芯片的EQE到达了30%,385nm芯片可达50%,而405nm芯片功率高达60%。惯例的NUV-LED芯片单颗输出功率到达了瓦级,可用于树脂固化、曝光机、验钞机等。现在NUV-LED芯片研发以大功率产品为方向,365nmLED的单颗输出功率可到达12W;而这些大功率LED的价格跟着批量生产而大幅下降,因而真实能够实用化。

  DUV-LED芯片受制于技能难点,现在功率依然比较低,仅不到2%,且价格昂贵,只能局限于实验室使用或小功率的作用验证。改善DUV-LED制备工艺、进步芯片功率,是现在相关研讨机构和企业的重要研讨方向。

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  日本RIKEN的Hirayama等人选用NH3脉冲气流多层成长办法,成功地在蓝宝石衬底上横向外延成长(EpitaxialLateralOvergrowth,ELO)AlN基板,大幅度下降了位错密度,并在此基础上制备了222~282nm的DUV-LED。经过氨脉冲气流多层成长办法,先在蓝宝石上成长初始的AlN条纹层;然后选用低气压有机金属化学气相堆积(LPMOCVD)办法,生成宽度为5μm、距离为3μm、厚度约15μm的ELO-AlN条纹结构基板。

  

  投射电镜图画显现,ELO-AlN层边际穿透位错密度为3×108cm-2。270nm的AlGaN多量子阱(MQW)DUV-LED芯片结构如图所示,其峰值波长为273nm,室温下接连波作业,最大输出功率能够到达2.7mW。而在室温下接连波作业时,波长241nm和256nm的AlGaN量子阱LED的最大输出功率分别为1.1mW和4.0mW;在室温下脉冲状况作业时,227nm和222nmAlGaN量子阱LED的最大输出功率分别为0.15mW和0.014mW;227nm和250nmAlGaNLED的最大EQE分别为0.2%和0.43%。

 
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